選択エピタキシャル成長とは
せんたくえぴたきしゃるせいちょう
絶縁膜で覆われていない、シリコンが露出した部分だけに結晶を成長させる方法。トランジスタのソース・ドレインのSiGeなどに使われる。
この用語の分野: エピタキシャル成長
せんたくえぴたきしゃるせいちょう
絶縁膜で覆われていない、シリコンが露出した部分だけに結晶を成長させる方法。トランジスタのソース・ドレインのSiGeなどに使われる。
この用語の分野: エピタキシャル成長
選択エピタキシャル成長では、塩酸(HCl)を加えるなどして、シリコンが露出した部分だけに結晶を成長させ、酸化膜や窒化膜の上にできかけた核はエッチングで消します。
選択エピタキシャル成長の説明として正しいものはどれか。CMOS SiGe(シリコンゲルマニウム) FinFET GAA(ゲートオールアラウンド) ナノシート HVPE(ハイドライド気相成長) エピタキシャル成長 MOCVD(有機金属気相成長) MBE(分子線エピタキシー) オートドーピング