バイポーラトランジスタ

バイポーラトランジスタとCMOSを同じチップに集積する技術とその狙いの組み合わせとして正しいものはどれか。

  1. ASOI:基板を絶縁膜で分離する
  2. BBiCMOS:CMOSの高集積・低消費電力と、バイポーラの高速性・駆動力を組み合わせる
  3. CFinFET:チャネルを立体化する
答えと解説を見る

正解:B. BiCMOS:CMOSの高集積・低消費電力と、バイポーラの高速性・駆動力を組み合わせる

BiCMOSは、論理回路などには高集積で低消費電力のCMOSを、高速な回路や大きな負荷の駆動、アナログ・高周波回路にはバイポーラトランジスタを使い分けるための技術です。SiGe HBTを組み合わせたSiGe BiCMOSは、通信用ICなどで使われています。

この分野を解く 分野ページへ

バイポーラトランジスタのほかの問題

  1. バイポーラトランジスタの3つの端子の組み合わせとして正しいものはどれか。
  2. NPNトランジスタの回路記号で、エミッタに付いている矢印の向きとして正しいものはどれか。
  3. バイポーラトランジスタのエミッタ電流IE、ベース電流IB、コレクタ電流ICの関係として正しいものはどれか。
  4. 直流電流増幅率hFE = 100のトランジスタにベース電流10 μAを流したとき、能動領域でのコレクタ電流はおよそいくらか。
  5. バイポーラトランジスタが遮断領域(オフ)にあるときの接合の状態として正しいものはどれか。