臨界膜厚とは
りんかいまくあつ
格子定数の異なる層をヘテロエピタキシャル成長させるとき、転位を発生させずにひずみを保ったまま成長できる最大の膜厚。これを超えるとミスフィット転位が入る。
この用語の分野: エピタキシャル成長
りんかいまくあつ
格子定数の異なる層をヘテロエピタキシャル成長させるとき、転位を発生させずにひずみを保ったまま成長できる最大の膜厚。これを超えるとミスフィット転位が入る。
この用語の分野: エピタキシャル成長
膜厚が増えるとひずみエネルギーが大きくなり、臨界膜厚を超えるとミスフィット転位が発生してひずみが緩みます。
ヘテロエピタキシャル成長における臨界膜厚の説明として正しいものはどれか。格子定数が異なる材料を成長させると、膜は基板に合わせて縮んだり伸びたりしてひずみがたまり、臨界膜厚を超えると、ひずみを緩和するために界面にミスフィット転位が発生します。
基板と成長膜の格子定数の差(格子不整合)が大きいときに起こりやすい問題はどれか。ミスフィット転位 エピタキシャル成長 SiGe(シリコンゲルマニウム) 量子井戸 格子不整合 貫通転位 超格子 HVPE(ハイドライド気相成長) MOCVD(有機金属気相成長) MBE(分子線エピタキシー)