先端トランジスタ(FinFET・GAA)

トランジスタのチャネルにひずみ(応力)を加える技術の主な目的はどれか。

  1. Aしきい値電圧を0 Vにする
  2. Bキャリアの移動度を高め、駆動電流を増やす
  3. Cゲート容量を小さくする
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正解：B. キャリアの移動度を高め、駆動電流を増やす

シリコン結晶にひずみを加えるとバンド構造が変わり、キャリアの移動度が向上します。一般に、nMOSには引っ張りひずみ、pMOSには圧縮ひずみが有効で、pMOSではソース・ドレインにSiGeを埋め込んでチャネルに圧縮ひずみを加える方法が知られています。

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