ダマシン法とは

解説の中の「ダマシン法」

• ダマシン法では、まず絶縁膜に配線の形の溝を掘り、バリア層とCuのシード層をスパッタで成膜したあと、電解めっきでCuを埋め込みます。

  Cu配線の形成に一般的に用いられるダマシン法の説明として正しいものはどれか。

• ダマシン法では、溝にバリア層(Ta/TaNなど)とCuのシード層をスパッタで数nm〜数十nmつけたあと、電解めっきでCuを埋め込みます。

  Cu配線の溝を埋め込むために主に用いられる成膜方法はどれか。

• そのため、Cu配線はエッチングを使わずに、絶縁膜に溝を掘って銅を埋め込み、CMPで余分を削るダマシン法でつくられます。

  Cu配線をドライエッチングで直接加工するのが難しい理由として正しいものはどれか。

「ダマシン法」が出てくる問題(5問)

1. Cu配線の形成に一般的に用いられるダマシン法の説明として正しいものはどれか。
2. Cu配線の溝を埋め込むために主に用いられる成膜方法はどれか。
3. Cu配線をドライエッチングで直接加工するのが難しい理由として正しいものはどれか。
4. 先端LSIの配線材料が、アルミニウム(Al)から銅(Cu)に置き換えられた主な理由はどれか。
5. 配線の溝とビアを同時にCuで埋め込み、1回のCMPで形成する方法を何と呼ぶか。

関連する用語

シード層 CMP 電解めっき ビア デュアルダマシン法 ドライエッチング エレクトロマイグレーション RC遅延 IRドロップ エアギャップ