異質磊晶成長晶格常數不同的層時,能在不產生差排的情況下保持應變持續成長的最大膜厚。超過此厚度就會產生錯配差排。
日文名稱: 臨界膜厚
這個名詞所屬的領域: 磊晶成長
4H-SiC 自摻雜 異質磊晶 貫穿差排 晶格不匹配 超晶格 階梯流成長 磊晶成長 橫向磊晶成長(ELO) 選擇性磊晶成長
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