先進電晶體（FinFET與GAA） 作為 pMOS 的通道材料，SiGe 或鍺被研究、採用以取代矽，其原因為何？ A因為電洞的遷移率高 B因為電子的遷移率非常低 C因為材料價格便宜 查看答案與解析 正確答案：A. 因為電洞的遷移率高 鍺與 SiGe 的電洞有效質量小，電洞遷移率比矽高，因此能增大 pMOS 的驅動電流。SiGe 的性質接近矽，容易整合到既有製程，而且因能帶位置偏移，也有助於搭配金屬閘極調整臨界電壓，所以在先進製程中被採用為 pMOS 的通道。Ge 100% 的通道也在研究中。