MOSFET
在相同尺寸的nMOS與pMOS中，一般而言nMOS的驅動電流較大，其主要原因為何？
- A因為nMOS的閘極氧化膜必定較厚
- B因為pMOS沒有閘極電極
- C因為在通道中流動的電子遷移率大於電洞遷移率
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正確答案：C. 因為在通道中流動的電子遷移率大於電洞遷移率
nMOS中是電子、pMOS中是電洞在通道內流動，而在矽的反轉層中，電子遷移率約為電洞的2～3倍，因此相同尺寸下nMOS能流過較大的電流。CMOS中會加寬pMOS的閘極寬度來取得平衡。在先進製程中，藉由SiGe的壓縮應變提高pMOS遷移率，且FinFET中電洞容易流動的(110)面成為鰭片側壁，使兩者的差距已大幅縮小。