關於SiGe HBT（異質接面雙極性電晶體），下列特徵何者正確？

正確答案：B. 基極採用SiGe的異質接面，容易工作到高頻率

SiGe HBT是在基極使用能隙較小的SiGe的異質接面雙極性電晶體。射極與基極的能隙差可抑制電洞的逆向注入，因此能在維持注入效率的同時，使基極高濃度且變薄，還可以讓Ge濃度呈梯度分布，在基極內產生電場來加速電子。fT可達數百GHz，且能以矽製程製造，因此用於智慧型手機的高頻電路、光通訊與車用雷達。