先進電晶體（FinFET與GAA）

對電晶體通道施加應變（應力）之技術的主要目的為何？

  1. A使臨界電壓成為 0 V
  2. B提高載子的遷移率，增加驅動電流
  3. C縮小閘極電容
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正確答案：B. 提高載子的遷移率，增加驅動電流

對矽晶體施加應變會改變能帶結構，使載子的有效質量與散射減少，遷移率因而提升。對 nMOS 而言，沿電流方向的拉伸應變有效，對 pMOS 則是壓縮應變有效；pMOS 採用在源極、汲極嵌入 SiGe 的方法，nMOS 則採用以具拉伸應力的氮化膜覆蓋等方法。自 90 nm 世代（約 2003 年）起導入，與微縮並列為提升性能的支柱。

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