先進電晶體（FinFET與GAA）
在奈米片型 GAA 中，設置於各薄片之間的閘極與源極、汲極之間的絕緣物（內間隔物，Inner Spacer）之主要作用為何？
- A減少閘極與源極、汲極之間的寄生電容，並防止短路
- B使通道發光
- C放大電流
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正確答案：A. 減少閘極與源極、汲極之間的寄生電容，並防止短路
在奈米片型 GAA 中，閘極會進入薄片之間的空隙，在數 nm 的距離內與源極、汲極相對。內間隔物是在將 SiGe 的端部稍微凹入（凹陷）所形成的空間中填入氮化膜等絕緣物，可減小閘極與源極、汲極之間的寄生電容，並防止短路。它同時也在移除 SiGe 時兼作保護源極、汲極的蝕刻停止層。