先進電晶體（FinFET與GAA）
在 (100) 面晶圓上以一般方向製作的 FinFET，作為通道的鰭片側面主要為 (110) 面。這對遷移率的影響，下列何者正確？
- A電子、電洞的遷移率都不變
- B與 (100) 面相比，電洞遷移率有上升、電子遷移率有下降的傾向
- C電子、電洞的遷移率都大幅上升
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正確答案：B. 與 (100) 面相比，電洞遷移率有上升、電子遷移率有下降的傾向
矽的遷移率取決於晶面與電流方向，(110) 面與 (100) 面相比，電洞遷移率較大（約 2 倍），電子遷移率則有變小的傾向。在 FinFET 中，電流的大部分流過側面，因此該面方位對 pMOS 有利、對 nMOS 不利。nMOS 的不利之處以應變技術等來彌補。藉由這項性質，FinFET 中 nMOS 與 pMOS 的性能差異比平面型變小了。
- A. 遷移率會因晶面而改變。
- B. 正確。電洞有利、電子有不利的傾向。
- C. 電子的遷移率在 (110) 面反而有下降的傾向。