將晶圓直接暴露於含摻雜物的電漿中,佈植低能量離子的方法。易於快速導入高劑量,對鰭片等立體結構也較容易均勻摻雜。
日文名稱: プラズマドーピング
這個名詞所屬的領域: 離子佈植
尖峰退火 佈植劑量 投影射程 固溶度 法拉第杯 退火 逆向摻雜井 通道效應(Channeling) 暈環佈植(口袋佈植) 雷射退火
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