先進電晶體（FinFET與GAA）

在鰭片高度 50 nm、寬度 6 nm 的 FinFET 中，每根鰭片的有效通道寬度（閘極包覆的周長）最接近下列何者？

  1. A106 nm
  2. B6 nm
  3. C56 nm
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正確答案：A. 106 nm

由於閘極包覆鰭片的兩側面與上表面，每根的有效通道寬度為 2 × 高度 + 寬度 = 2 × 50 + 6 = 106 nm。若鰭片節距為 30 nm，則可得到相同面積下平面型寬度的 3 倍以上，鰭片越高，越能在不增加占用面積的情況下增加電流。不過，若太高，細鰭片會倒塌或加工產生變異，因此高度採用 50 nm 左右。

  • A. 正確。2 × 50 + 6 = 106 nm。
  • B. 6 nm 只是鰭片的寬度，沒有計入側面。
  • C. 56 nm 是只計入單側側面與上表面的值。
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