先進電晶體(FinFET與GAA)

下列關於 FinFET 結構特徵的敘述,何者正確?

  1. A通道立成鰭片(Fin)狀,閘極從三個方向包覆
  2. B只以平面閘極覆蓋通道的上表面
  3. C不使用閘極絕緣膜,讓金屬直接接觸通道
查看答案與解析

正確答案:A. 通道立成鰭片(Fin)狀,閘極從三個方向包覆

FinFET 是將矽立成寬數 nm 至十幾 nm、高數十 nm 的鰭片(Fin)狀,並以閘極包覆其兩側面與上表面的立體結構電晶體。由於閘極從三個方向控制通道,比平面型更容易抑制短通道效應,並減少關閉時的漏電。此外,因為可在高度方向確保電流路徑,所以能以較小的面積獲得較大的電流。自 22 nm 世代起成為先進邏輯的標準。

平面式電晶體與FinFET的剖面 平面式 閘極 閘極僅控制頂面 FinFET 閘極 鰭片 閘極從頂面與兩側面三個方向包圍
平面式電晶體與FinFET的剖面 · 在圖解集中查看
練習這個領域 前往領域頁面

先進電晶體(FinFET與GAA)的其他題目

  1. 下列關於 GAA(環繞式閘極,Gate-All-Around)型電晶體的說明,何者正確?
  2. 下列何者屬於 MOSFET 的短通道效應?
  3. 閘極絕緣膜使用 High-k(高介電常數)材料的主要原因為何?
  4. 對電晶體通道施加應變(應力)之技術的主要目的為何?
  5. 下列關於 EOT(等效氧化層厚度)的說明,何者正確?

這個領域的比較