先進電晶體(FinFET與GAA)
下列關於 FinFET 結構特徵的敘述,何者正確?
- A通道立成鰭片(Fin)狀,閘極從三個方向包覆
- B只以平面閘極覆蓋通道的上表面
- C不使用閘極絕緣膜,讓金屬直接接觸通道
查看答案與解析
正確答案:A. 通道立成鰭片(Fin)狀,閘極從三個方向包覆
FinFET 是將矽立成寬數 nm 至十幾 nm、高數十 nm 的鰭片(Fin)狀,並以閘極包覆其兩側面與上表面的立體結構電晶體。由於閘極從三個方向控制通道,比平面型更容易抑制短通道效應,並減少關閉時的漏電。此外,因為可在高度方向確保電流路徑,所以能以較小的面積獲得較大的電流。自 22 nm 世代起成為先進邏輯的標準。
平面式電晶體與FinFET的剖面 · 在圖解集中查看