什麼是短通道效應

閘極長度變短時，受汲極電場影響，臨界電壓下降、關閉時的漏電流增加的現象。

日文名稱: 短チャネル効果

「短通道效應」出現在2領域的8道練習題中（先進電晶體（FinFET與GAA）, 氧化與擴散等）。

這個名詞所屬的領域: MOSFET

練習短通道效應的題目

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正確答案：C. 縮短閘極長度時，臨界電壓下降，關閉時的漏電流增加

閘極長度縮短後，源極與汲極的空乏層相對變大，通道中一部分電荷改由源極、汲極而非閘極來控制。結果會發生臨界電壓下降（roll-off）、因汲極電壓導致的臨界電壓下降（DIBL）、次臨界擺幅惡化、關閉時漏電流增加等現象。另一個問題是，只要製造變異使閘極長度稍有改變，特性就會大幅變動。

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正確答案：C. 要比閘極長度更細

鰭片越細，兩側閘極的電場越能充分到達鰭片中心，可抑制通過離閘極較遠部分的漏電。作為基準，鰭片寬度必須在閘極長度的一半至同等以下，先進世代已細到 5～7 nm 左右。不過，若太細，會出現量子侷限造成的臨界電壓變動、表面散射造成的遷移率下降，以及加工變異等問題。

若閘極長度為 λ 的 5～10 倍左右，短通道效應就能被抑制得很小。
下列關於用來估計短通道效應強弱的「尺度長度（自然長度）λ」之說明，何者正確？
由於閘極從三個方向控制通道，比平面型更容易抑制短通道效應，並減少關閉時的漏電。
下列關於 FinFET 結構特徵的敘述，何者正確？
由於從四個方向控制，閘極的控制力比 FinFET 更強，即使閘極長度更短也能抑制短通道效應。
下列關於 GAA（環繞式閘極，Gate-All-Around）型電晶體的說明，何者正確？
在 FD-SOI 中，厚度約 5～7 nm 的極薄矽層整體都會空乏，因此即使不在通道中摻入雜質也能抑制短通道效應，並減少隨機摻雜物波動所造成的變異。
下列關於完全空乏型 SOI（FD-SOI）電晶體之優點，何者正確？
此外，環繞式閘極對短通道效應也具有抵抗力，在相同面積下可獲得比 FinFET 更大的電流。
與 FinFET 相比，奈米片型 GAA 電晶體在設計上的優點，下列何者正確？

平面式 MOSFET 與 FinFET 的差異：業界為何轉換以結構、閘極控制、短通道效應、漏電流、次臨界擺幅、驅動電流、摻雜與使用場合等面向，用表格比較平面式 MOSFET 與 FinFET。