先進電晶體（FinFET與GAA）
從平面型電晶體轉換為 FinFET 後，次臨界擺幅（SS）一般有何變化？
- A變得低於理論極限的約 60 mV/dec
- B趨近理論極限的約 60 mV/dec（變小）
- C變大，更難以關閉
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正確答案：B. 趨近理論極限的約 60 mV/dec（變小）
次臨界擺幅為 S = (kT/q)·ln10·(1 + Cd/Cox)，閘極以外的電容（空乏層等）影響越小，就越接近理論極限的約 60 mV/dec。平面型的微小電晶體曾惡化到 80～100 mV/dec，但 FinFET 因從三個方向控制，改善到約 65～70 mV/dec。不過，只要是依熱原理運作，就無法低於 60 mV/dec。
- A. 一般的 MOSFET 受熱極限所限，無法低於 60 mV/dec。
- B. 正確。閘極的控制力增強，趨近極限。
- C. 在 FinFET 中 SS 是被改善（變小）的。