先進電晶體（FinFET與GAA）
在製作於塊材基板上的 FinFET 中，於鰭片根部（閘極不易控制的部分）設置高濃度雜質層的目的為何？
- A抑制通過鰭片下方部分的擊穿（punch-through）漏電流
- B為了降低閘極的電阻
- C為了使鰭片變高
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正確答案：A. 抑制通過鰭片下方部分的擊穿（punch-through）漏電流
在塊材 FinFET 中，鰭片的下部沒有被閘極包覆，因此源極與汲極之間容易漏電。在鰭片根部附近設置與通道相反導電型的高濃度層（擊穿阻擋層），以抑制這條路徑的漏電。由於不希望在通道部分摻入雜質，難以控制只在較淺的位置陡峭地摻入。若使用 SOI 基板，可用絕緣膜隔離，但晶圓價格昂貴。
- A. 正確。抑制鰭片下部的漏電。
- B. 與閘極電極的電阻無關。
- C. 並不是用來改變鰭片高度的層。