先進電晶體（FinFET與GAA）
首次將 FinFET（Intel 稱之為 Tri-Gate）用於量產邏輯產品的企業與世代之組合，下列何者正確？
- AIntel 的 22 nm 世代（2011～2012 年左右）
- BTSMC 的 90 nm 世代（2004 年左右）
- CSamsung 的 2 nm 世代（2025 年左右）
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正確答案：A. Intel 的 22 nm 世代（2011～2012 年左右）
Intel 在 22 nm 世代將 FinFET（該公司稱為 Tri-Gate）用於量產，自 2012 年的 Ivy Bridge 起搭載於產品。該公司宣布在相同性能下可將功耗降至約一半。之後 TSMC 與 Samsung 也在 16/14 nm 世代採用 FinFET，自平面型的轉換就此推進。FinFET 的構想是 1999 年由加州大學柏克萊分校的胡正明（Chenming Hu）教授等人所發表。
- A. 正確。Intel 在 22 nm 世代首次用於量產。
- B. 90 nm 世代是平面型電晶體的時代。
- C. 在 2 nm 世代，已朝 GAA 型轉換。