提高nMOSFET的通道區域（p型基板）的雜質濃度時，臨界電壓會如何變化？

正確答案：A. 變高

基板的雜質濃度高時，在使表面反轉之前，空乏層所含的受體電荷較多，費米電位φF也變大，因此需要更大的閘極電壓。所以臨界電壓會變高。對通道進行離子佈植來調整Vth，就是利用這個特性。不過濃度過高會使遷移率下降，變異（摻雜物數量的起伏）也會增加，因此FinFET與GAA將通道設為幾乎不摻雜，以功函數決定Vth。

• A. 正確。因為反轉所需的空乏層電荷增加。
• B. 降低濃度時臨界電壓會變低，提高則相反。
• C. 基板濃度是決定臨界電壓的主要因素之一。