關於MOSFET的衝穿（punch-through）的說明，下列何者正確？

正確答案：B. 源極與汲極的空乏層相連，流過無法由閘極控制的電流

當通道短而基板濃度低時，汲極側的空乏層會因汲極電壓而與源極側的空乏層相連，電流與閘極無關地流過基板深處，導致無法關閉。這就是衝穿。對策包括在源極、汲極下方加入高濃度層（暈環/口袋佈植）、使接面變淺，以及像FinFET或GAA那樣以閘極包圍通道，消除無法控制的電流路徑。

• A. 遷移率的溫度變化不是衝穿。
• B. 正確。空乏層相連，流過無法控制的電流。
• C. 絕緣膜的破壞是閘極絕緣崩潰，與衝穿是不同的現象。