先進電晶體（FinFET與GAA）
在 FinFET 中，調整電晶體有效通道寬度的方法，下列何者正確？
- A以改變鰭片的數量來調整，因此通道寬度為離散的值
- B以閘極電壓的大小來調整
- C與平面型相同，可設定為任意連續的值
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正確答案：A. 以改變鰭片的數量來調整，因此通道寬度為離散的值
在 FinFET 中，鰭片的高度與寬度由製程決定且為定值，因此通道寬度靠鰭片的數量調整，成為「幾根鰭片」這種離散的值（寬度量子化）。因此，在類比電路中製作細微的電流比，或細部調整 SRAM 單元中各電晶體的強度比都變得困難，成為設計上的限制。奈米片型 GAA 可以緩解這項限制。