LDD構造とは
えるでぃーでぃーこうぞう
Lightly Doped Drain の略。ドレインのゲート側の端だけ不純物濃度を低くして電界を緩和し、ホットキャリアによる劣化を抑える構造。
この用語の分野: MOSFET
解説の中の「LDD構造」
LDD構造では、ゲート側壁(サイドウォール)を使ってドレインのチャネル側に低濃度の浅い領域を作り、ピーク電界を下げて劣化を抑えます。
MOSFETのLDD(Lightly Doped Drain)構造の目的として正しいものはどれか。LDD構造や電源電圧の低減で抑えます。
ドレイン近くの高電界で加速されたキャリアがゲート絶縁膜に注入され、トランジスタの特性が劣化する現象はどれか。
「LDD構造」が出てくる問題(2問)
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