MOSFET

MOSFETのLDD(Lightly Doped Drain)構造の目的として正しいものはどれか。

  1. Aゲート電極の抵抗を下げる
  2. Bドレイン端の不純物濃度を低くして電界を緩和し、ホットキャリアによる劣化を抑える
  3. Cチャネルの移動度を2倍にする
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正解：B. ドレイン端の不純物濃度を低くして電界を緩和し、ホットキャリアによる劣化を抑える

ドレイン近くでは電界が強くなり、高いエネルギーをもったキャリア(ホットキャリア)がゲート絶縁膜に注入されて、特性の劣化を引き起こします。LDD構造では、ドレインのチャネル側に低濃度の領域を設けて電界を緩和し、この劣化を抑えます。

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