サブスレッショルドスイングとは
さぶすれっしょるどすいんぐ
しきい値電圧以下で、ドレイン電流を10倍変えるのに必要なゲート電圧。室温での理論的な下限は約60 mV/桁で、小さいほどオンとオフの切り替えが鋭い。
この用語の分野: MOSFET
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LDD構造 貫通電流 基板バイアス効果 GIDL(ゲート誘起ドレインリーク) CMOS しきい値電圧 相互コンダクタンス 速度飽和 短チャネル効果 チャネル長変調
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しきい値電圧以下で、ドレイン電流を10倍変えるのに必要なゲート電圧。室温での理論的な下限は約60 mV/桁で、小さいほどオンとオフの切り替えが鋭い。
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