(100)面のウエハ上に一般的な向きでつくったFinFETでは、チャネルとなるフィンの側面は主に(110)面になる。このことによる移動度への影響として正しいものはどれか。

正解：B. (100)面に比べて正孔の移動度は上がり、電子の移動度は下がる傾向がある

シリコンの移動度は結晶面と電流の向きに依存し、(110)面では(100)面に比べて正孔の移動度が大きく、電子の移動度は小さくなる傾向があります。FinFETでは電流の大部分が側面を流れるため、pMOSに有利でnMOSに不利な面方位になり、ひずみ技術などと組み合わせて性能を調整します。

• A. 移動度は結晶面によって変わります。
• B. 正しい。正孔は有利、電子は不利になる傾向があります。
• C. 電子の移動度は(110)面ではむしろ下がる傾向です。