FinFETやSOIトランジスタで問題になりやすい自己発熱の原因として正しいものはどれか。

正解：C. チャネルが細い構造や絶縁膜に囲まれており、発生した熱が基板へ逃げにくいため

フィンのような細い構造や、熱伝導率の低い酸化膜で囲まれた構造では、トランジスタで発生した熱が基板に逃げにくく、チャネルの温度が上がります。温度が上がると移動度が下がり、配線の信頼性にも影響するため、設計時に考慮が必要です。