半導体物性

シリコンの不純物濃度を高くすると、キャリアの移動度は一般にどうなるか。

  1. A変化しない
  2. B小さくなる
  3. C大きくなる
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正解:B. 小さくなる

不純物濃度が高くなると、イオン化した不純物によるクーロン散乱(イオン化不純物散乱)が増えるため、キャリアの移動度は小さくなります。高濃度にドープした領域では抵抗率は下がりますが、移動度自体は低下しています。

  • A. 不純物濃度は移動度に大きく影響します。
  • B. 正しい。イオン化不純物散乱が増えて移動度は下がります。
  • C. 不純物が増えると散乱が増えるので、移動度は大きくなりません。
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