先端トランジスタ(FinFET・GAA)

FinFETの構造上の特徴として正しいものはどれか。

  1. Aひれ(フィン)状に立てたチャネルを、ゲートが3方向から囲む
  2. Bチャネルの上面だけを平面のゲートで覆う
  3. Cゲート絶縁膜を使わず、金属を直接チャネルに接触させる
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正解：A. ひれ(フィン)状に立てたチャネルを、ゲートが3方向から囲む

FinFETは、シリコンをひれ(フィン)のように薄く立てた形にし、その両側面と上面をゲートで囲む立体構造のトランジスタです。ゲートがチャネルを3方向から制御できるため、平面型より短チャネル効果を抑えやすく、オフ時のリーク電流を減らせます。

平面型トランジスタとFinFETの断面 平面型 ゲート ゲートは上面だけを制御 FinFET ゲート フィン ゲートが上面と両側面の3方向から囲む
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