MOSFETのパンチスルーの説明として正しいものはどれか。

正解：B. ソースとドレインの空乏層がつながり、ゲートで制御できない電流が流れること

チャネルが短く基板の濃度が低いと、ドレイン電圧を上げたときにドレイン側の空乏層がソース側の空乏層とつながります。するとゲートとは関係なく基板の深い部分を電流が流れ、トランジスタをオフにできなくなります。これをパンチスルーといいます。

• A. 移動度の温度変化はパンチスルーではありません。
• B. 正しい。空乏層がつながって制御できない電流が流れます。
• C. 絶縁膜の破壊はゲート絶縁破壊で、パンチスルーとは別の現象です。