CZ法(チョクラルスキー法)とは

解説の中の「CZ法(チョクラルスキー法)」

• CZ法では石英(SiO2)のるつぼでシリコンを溶かすため、るつぼから溶け出した酸素が結晶に約10¹⁸ cm⁻³取り込まれます。

  CZ法で育成したシリコン結晶に、るつぼから比較的多く取り込まれる不純物はどれか。

• CZ法では、石英るつぼで約1420 ℃以上に溶かしたシリコンに種結晶を浸し、回転させながら1時間に数cm程度の速さでゆっくり引き上げて、直径300 mm・長さ2 m前後、重さ数百kgの単結晶インゴットをつくります。

  LSI用の単結晶シリコンの製造で最も広く使われている方法はどれか。

• 耐圧の高いパワーデバイス(IGBTなど)や検出器に使われますが、大口径化はCZ法の方が容易で、200 mm程度が上限です。

  FZ法(フローティングゾーン法)で作製したシリコン単結晶の特徴として正しいものはどれか。

「CZ法(チョクラルスキー法)」が出てくる問題(15問)

1. CZ法で育成したシリコン結晶に、るつぼから比較的多く取り込まれる不純物はどれか。
2. CZ法で、結晶の引き上げ速度と結晶中の温度勾配の比(V/G)を制御する主な目的はどれか。
3. CZ法でp型のシリコン結晶をつくるとき、融液に添加する代表的な不純物はどれか。
4. CZ法で不純物を添加した結晶を引き上げると、結晶の下部(引き上げの後半)ほど不純物濃度が高くなる傾向がある。その理由として正しいものはどれか。
5. CZ法で、るつぼに磁場をかけて融液の対流を抑え、酸素濃度などを制御する方法はどれか。
6. CZ法などで育成した、ウエハに切り出す前の円柱状の単結晶シリコンの塊を何と呼ぶか。
7. CZ法の引き上げの初めに、種結晶の直後を細く絞って成長させる(ネッキング)目的はどれか。
8. CZ法で単結晶を引き上げ終えるとき、インゴットの直径を少しずつ細くして(テールを絞って)融液から切り離す主な理由はどれか。
9. CZ法で育成したシリコン結晶に含まれる格子間酸素の濃度の目安として最も近いものはどれか。
10. LSI用の単結晶シリコンの製造で最も広く使われている方法はどれか。
11. FZ法(フローティングゾーン法)で作製したシリコン単結晶の特徴として正しいものはどれか。
12. 高純度の多結晶シリコンの代表的な製造方法はどれか。
13. シリコン単結晶インゴットの直径を一定に保つため、引き上げ中に主に調整する条件はどれか。
14. シリコンウエハが円形をしている主な理由として正しいものはどれか。
15. 熱処理炉の反応管や、ウエハを載せる治具に広く使われる、高純度で耐熱性に優れた材料はどれか。

関連する用語

インゴット サーマルドナー MCZ法(磁場印加CZ法) 偏析係数 ネッキング ゲッタリング FZ法(フローティングゾーン法) IGBT シーメンス法 CMP