什麼是CZ法(柴可拉斯基法)
將種晶浸入坩堝中熔融的矽，一邊旋轉一邊向上拉引，製成單晶的方法。
日文名稱: CZ法(チョクラルスキー法)
「CZ法(柴可拉斯基法)」出現在1領域的14道練習題中（矽晶圓等）。
這個名詞所屬的領域: 矽晶圓
練習CZ法(柴可拉斯基法)的題目
以CZ法成長的矽晶體中，從坩堝較多地混入的雜質是哪一種？
- A金
- B氧
- C氦
在CZ法中，控制晶體拉晶速度與晶體內溫度梯度之比(V/G)，主要目的是哪一項？
- A控制進入晶體的點缺陷(空位或間隙矽)的種類與量，以減少晶體缺陷
- B改變晶體的顏色
- C延長坩堝的壽命
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正確答案：A. 控制進入晶體的點缺陷(空位或間隙矽)的種類與量，以減少晶體缺陷
由拉晶速度V與界面附近溫度梯度G之比，決定過剩進入晶體的點缺陷是空位還是間隙矽。V/G大時，剩餘的空位聚集成微小空洞(COP)；V/G小時，剩餘的間隙矽則形成差排環。若在兩者恰好平衡的狹窄條件下拉晶，就能得到幾乎沒有任一種缺陷的晶體(完美晶體，perfect silicon)。
解析中的「CZ法(柴可拉斯基法)」
CZ法是在石英(SiO2)坩堝中熔化矽，因此從坩堝溶出的氧會以約10¹⁸ cm⁻³的濃度進入晶體。
以CZ法成長的矽晶體中，從坩堝較多地混入的雜質是哪一種？CZ法是在石英坩堝中將矽熔化至約1420 ℃以上，把晶種浸入熔融矽，一邊旋轉一邊以每小時數cm左右的速度緩慢向上拉晶，製成直徑300 mm、長約2 m、重數百kg的單晶晶錠。
製造LSI用單晶矽時，最廣泛使用的方法是哪一種？它用於高耐壓的功率元件(IGBT等)與偵測器，但大口徑化以CZ法較為容易，FZ法的上限約為200 mm左右。
以FZ法(浮動區熔法)製作的矽單晶，下列哪一項特徵是正確的？如此製成純度達11N(99.999999999%)等級的多晶矽，作為CZ法等的原料。
高純度多晶矽的代表性製造方法是哪一種？在CZ法中，以攝影機監視晶體與熔液交界處形成的明亮環(彎月面)，由其直徑求出晶錠直徑，並自動調整拉晶速度與加熱器的輸出(熔液溫度)，使直徑保持一定。
為了讓矽單晶晶錠的直徑保持一定，拉晶過程中主要調整的條件是哪一項？
出現「CZ法(柴可拉斯基法)」的題目（14題）
- 以CZ法成長的矽晶體中，從坩堝較多地混入的雜質是哪一種？
- 在CZ法中，控制晶體拉晶速度與晶體內溫度梯度之比(V/G)，主要目的是哪一項？
- 以CZ法製造p型矽晶體時，添加到熔液中的代表性雜質是哪一種？
- 以CZ法拉出摻雜的晶體時，晶體下部(拉晶後半段)的雜質濃度有越來越高的傾向。下列哪一項是正確的原因？
- 在CZ法中，對坩堝施加磁場以抑制熔液對流，進而控制氧濃度等的方法是哪一種？
- 以CZ法等成長、尚未切成晶圓之前的圓柱狀單晶矽塊，稱為什麼？
- 在CZ法拉晶開始時，緊接晶種之後先收細成長(頸縮，necking)，其目的是哪一項？
- 以CZ法拉完單晶時，把晶錠直徑逐漸縮小(收細尾部)再與熔液分離，其主要原因是哪一項？
- 以CZ法成長的矽晶體所含間隙氧的濃度，其參考值最接近下列哪一項？
- 製造LSI用單晶矽時，最廣泛使用的方法是哪一種？
- 以FZ法(浮動區熔法)製作的矽單晶，下列哪一項特徵是正確的？
- 高純度多晶矽的代表性製造方法是哪一種？
- 為了讓矽單晶晶錠的直徑保持一定，拉晶過程中主要調整的條件是哪一項？
- 矽晶圓之所以是圓形，其主要原因下列哪一項是正確的？
出現這個名詞的比較
相關名詞
熱施體 MCZ法(磁場施加CZ法) 偏析係數 頸縮(Necking) FZ法(浮動區熔法) IGBT 西門子法 矽烷(SiH4) 旋轉塗佈 CMP(化學機械研磨)