ゲッタリングとは
げったりんぐ
ウエハの中の金属不純物を、素子をつくる表面から離れた場所に集めて捕らえる技術。酸素析出物などを利用する。
この用語の分野: シリコンウエハ
げったりんぐ
ウエハの中の金属不純物を、素子をつくる表面から離れた場所に集めて捕らえる技術。酸素析出物などを利用する。
この用語の分野: シリコンウエハ
ゲッタリングは、デバイスの特性を悪くする鉄・銅・ニッケルなどの金属不純物を、表面のデバイス領域から離れたウエハ内部や裏面の欠陥などに集めて捕らえる技術です。
ゲッタリングの説明として正しいものはどれか。その後の低温・中温の熱処理で内部に析出物をつくれば、ゲッタリング層になります。
ウエハを熱処理して表面付近の酸素を外に拡散させ、デバイスをつくる表面に欠陥の少ない層をつくる。この層を何と呼ぶか。この酸素は熱処理で析出してゲッタリングに役立ち、転位を固着してウエハを強くする一方、多すぎると欠陥やサーマルドナーの原因になります。
CZ法で育成したシリコン結晶に含まれる格子間酸素の濃度の目安として最も近いものはどれか。酸素析出物(BMD) DZ(無欠陥層) アニール RTP(急速熱処理) CZ法(チョクラルスキー法) サーマルドナー ドナー CMOS ラッチアップ マイコン(マイクロコントローラ)