シリコンウエハ

CZ法で不純物を添加した結晶を引き上げると、結晶の下部(引き上げの後半)ほど不純物濃度が高くなる傾向がある。その理由として正しいものはどれか。

  1. A重力で不純物が下に沈むため
  2. B多くの不純物の偏析係数が1より小さく、結晶に取り込まれにくい不純物が融液中に濃縮されていくため
  3. C引き上げの後半ほど温度が低いため
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正解:B. 多くの不純物の偏析係数が1より小さく、結晶に取り込まれにくい不純物が融液中に濃縮されていくため

結晶が固まるとき、多くの不純物は結晶に取り込まれにくく(偏析係数が1より小さく)、融液側に残ります。引き上げが進むほど融液中の不純物濃度が上がるため、結晶の後半ほど不純物濃度が高く、抵抗率が低くなります。そのためインゴットの位置によって抵抗率が異なります。

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