CZ法で、結晶の引き上げ速度と結晶中の温度勾配の比(V/G)を制御する主な目的はどれか。

正解：A. 結晶に取り込まれる点欠陥(空孔や格子間シリコン)の種類と量を制御し、結晶欠陥を減らす

引き上げ速度Vと温度勾配Gの比によって、結晶に過剰に取り込まれる点欠陥が空孔になるか格子間シリコンになるかが決まります。V/Gを適切に制御すると、それらが集まってできる微小な欠陥(COPなど)の少ない、高品質な結晶が得られます。