シーメンス法とは
しーめんすほう
トリクロロシランを水素で還元し、加熱したシリコンの棒の上に高純度の多結晶シリコンを析出させる製法。半導体用の原料シリコンの主な製造方法。
この用語の分野: シリコンウエハ
しーめんすほう
トリクロロシランを水素で還元し、加熱したシリコンの棒の上に高純度の多結晶シリコンを析出させる製法。半導体用の原料シリコンの主な製造方法。
この用語の分野: シリコンウエハ
シーメンス法では、純度98%程度の金属シリコンを塩化水素と反応させてトリクロロシラン(SiHCl3、沸点約32 ℃)にし、蒸留で高純度化したあと、約1100 ℃に加熱したシリコン棒の上で水素と反応させて高純度のシリコンを析出させます。
高純度の多結晶シリコンの代表的な製造方法はどれか。CZ法(チョクラルスキー法) インゴット ウエハのノッチ SOIウエハ FZ法(フローティングゾーン法) MCZ法(磁場印加CZ法) 結晶方位 ゲッタリング サーマルドナー 酸素析出物(BMD)