Dépôt chimique en phase vapeur. Méthode de dépôt d'un film mince sur la plaquette par réaction chimique de gaz précurseurs.
Nom japonais: CVD
« CVD » apparaît dans 32 questions d'entraînement réparties sur 7 thèmes, dont Dépôt (CVD et PVD), Matériaux de procédé (gaz et produits chimiques), Croissance épitaxiale.
Domaine: Dépôt (CVD et PVD)
Réponse : B. Parce que la vitesse de la réaction chimique de surface détermine la vitesse de croissance (régime limité par la réaction de surface)
À basse température, la réaction chimique de surface est lente et sa vitesse détermine la vitesse de croissance (régime limité par la réaction de surface). La vitesse de réaction suivant la loi d'Arrhenius dépend exponentiellement de la température, si bien que la vitesse de croissance en dépend fortement et que l'uniformité de température sur la plaquette se traduit directement en uniformité d'épaisseur. À haute température, la réaction devient suffisamment rapide et c'est la vitesse d'arrivée du gaz en surface qui détermine la croissance (régime limité par le transport ou la diffusion) ; l'uniformité de l'écoulement gazeux devient alors importante.
Réponse : C. Environ 1500 à 1650℃
Le SiC ayant des liaisons fortes et des atomes de surface peu mobiles, l'obtention de couches épitaxiales de qualité exige environ 1500 à 1650 ℃, soit quelque 500 ℃ de plus que le silicium. Les précurseurs sont le silane ou le trichlorosilane et un hydrocarbure comme le propane, le rapport C/Si permettant de contrôler l'incorporation des impuretés. Pour résister à ces températures, les pièces du réacteur sont en graphite revêtu de SiC ou de TaC.
L’oxyde CVD, selon ses conditions de dépôt, peut être moins dense ou contenir de l’hydrogène et de l’humidité, et se grave généralement plus vite.
Pour une même gravure à l’acide fluorhydrique dilué, quelle…Le PECVD décompose et active les gaz précurseurs grâce à l'énergie des électrons du plasma, ce qui permet de déposer vers 300 à 400 ℃, contre environ 600 à 800 ℃ pour le CVD thermique, qui ne fait réagir que par la chaleur.
Quel est le principal avantage du CVD assisté par plasma (P…Le LPCVD est un CVD thermique réalisé sous pression réduite, de quelques dizaines à quelques centaines de Pa.
Quelle caractéristique du CVD à basse pression (LPCVD) est …Le TEOS (Si(OC2H5)4) est un composé organosilicié liquide à température ambiante, vaporisé pour servir de précurseur CVD.
Quel composé organosilicié liquide est largement utilisé co…Le CVD de tungstène réduit le WF6 par l'hydrogène (WF6 + 3H2 → W + 6HF) pour déposer un film de tungstène, la nucléation initiale utilisant notamment le silane.
Quel gaz est utilisé comme précurseur pour le CVD de tungst…Précurseur Plasma Silane (SiH4) PECVD (CVD assistée par plasma) Couverture de marche (step coverage) LPCVD (CVD basse pression) Contact ALD Recuit TEOS