CVD dans laquelle un plasma décompose les gaz précurseurs pour déposer un film. Permet un dépôt à plus basse température que la CVD thermique ; utilisée pour les isolants des interconnexions.
Nom japonais: PECVD(プラズマCVD)
« PECVD (CVD assistée par plasma) » apparaît dans 7 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Dépôt (CVD et PVD).
Domaine: Dépôt (CVD et PVD)
Réponse : C. Il permet de déposer à plus basse température que le CVD thermique
Le PECVD décompose et active les gaz précurseurs grâce à l'énergie des électrons du plasma, ce qui permet de déposer vers 300 à 400 ℃, contre environ 600 à 800 ℃ pour le CVD thermique, qui ne fait réagir que par la chaleur. Il sert au dépôt des diélectriques intercouches et des films de protection dans les étapes où une haute température est exclue, par exemple après la formation des interconnexions en aluminium ou en cuivre. En revanche, l'hydrogène issu des précurseurs s'incorpore facilement au film, dont la qualité tend à être inférieure à celle du CVD thermique.
Réponse : C. Il est dense et contient peu d'impuretés comme l'hydrogène
En CVD thermique à haute température, les précurseurs réagissent complètement et forment un film dense, contenant peu d'impuretés comme l'hydrogène issu des précurseurs, de composition proche de la stœchiométrie. Par exemple, l'hydrogène d'un nitrure LPCVD est inférieur à quelques %, alors qu'un nitrure PECVD peut en contenir autour de 20 %. Le PECVD dépose à basse température, mais son film est moins dense et se grave plus vite ; on choisit selon les contraintes de température de l'étape et la qualité de film requise.
Le PECVD décompose et active les gaz précurseurs grâce à l'énergie des électrons du plasma, ce qui permet de déposer vers 300 à 400 ℃, contre environ 600 à 800 ℃ pour le CVD thermique, qui ne fait réagir que par la chaleur.
Quel est le principal avantage du CVD assisté par plasma (P…Par exemple, l'hydrogène d'un nitrure LPCVD est inférieur à quelques %, alors qu'un nitrure PECVD peut en contenir autour de 20 %.
À matériau égal, en quoi un film de CVD thermique à haute t…Le nitrure PECVD, obtenu en faisant réagir silane et ammoniac à basse température, vers 300 à 400 ℃, contient environ 10 à 30 % d'hydrogène sous forme de liaisons Si-H et N-H, et sa composition s'écarte vers SiNx.
Quelle caractéristique du nitrure de silicium déposé par PE…En PECVD, l'application d'une puissance RF basse fréquence (quelques centaines de kHz) permet aux ions lourds de suivre le champ et de bombarder fortement le film, qui se densifie et tend vers la compression.
Quelle méthode permet d'ajuster la contrainte d'un nitrure …Les procédés sont variés : CVD thermique (environ 700 ℃), PECVD (environ 400 ℃), CVD à pression atmosphérique associé à l'ozone, etc.
Quel composé organosilicié liquide est largement utilisé co…CVD Silane (SiH4) LPCVD (CVD basse pression) Précurseur Plasma TEOS Couverture de marche (step coverage) ALD Dépôt électrolytique (électroplacage) Dépôt par centrifugation (spin coating)