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Croissance épitaxiale

Quelle valeur est la plus proche de la température de croissance usuelle de l'épitaxie du SiC (CVD) ?

  1. AEnviron 600℃
  2. BEnviron 1000℃
  3. CEnviron 1500 à 1650℃
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Réponse : C. Environ 1500 à 1650℃

Le SiC ayant des liaisons fortes et des atomes de surface peu mobiles, l'obtention de couches épitaxiales de qualité exige environ 1500 à 1650 ℃, soit quelque 500 ℃ de plus que le silicium. Les précurseurs sont le silane ou le trichlorosilane et un hydrocarbure comme le propane, le rapport C/Si permettant de contrôler l'incorporation des impuretés. Pour résister à ces températures, les pièces du réacteur sont en graphite revêtu de SiC ou de TaC.

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