Qu'est-ce que LPCVD (CVD basse pression) ?

Réponse : A. Réalisé sous pression réduite, il offre une bonne uniformité d'épaisseur et traite de nombreuses plaquettes à la fois

Le LPCVD est un CVD thermique réalisé sous pression réduite, de quelques dizaines à quelques centaines de Pa. La diffusion des molécules de gaz y est rapide et la vitesse de dépôt est déterminée par la réaction de surface (régime limité par la réaction de surface) : on obtient un film uniforme même avec plus de 100 plaquettes dressées à quelques mm d'intervalle. Sa couverture de marche est également bonne ; il sert au dépôt du polysilicium, du nitrure de silicium et de l'oxyde TEOS. Sa température, d'environ 600 à 800 ℃, est élevée et exclut son emploi après la formation des interconnexions.

Réponse : B. Silane (SiH4)

Le polysilicium est déposé par décomposition thermique du silane vers 600 à 650 ℃ (SiH4 → Si + 2H2). La taille des grains dépend de la température de dépôt ; en dessous d'environ 580 ℃, on obtient du silicium amorphe. Il est utilisé pour les électrodes de grille (avant le High-k), les résistances, les électrodes de DRAM et de mémoire flash et les structures de MEMS ; des impuretés sont introduites pendant ou après le dépôt pour réduire sa résistance.