Traitement thermique. Utilisé notamment pour guérir les défauts cristallins après implantation ionique et pour activer les dopants.
Nom japonais: アニール
« Recuit » apparaît dans 37 questions d'entraînement réparties sur 15 thèmes, dont Implantation ionique, Oxydation et diffusion, Dépôt (CVD et PVD).
Domaine: Implantation ionique
Réponse : B. Réparer les défauts cristallins et placer les impuretés en sites substitutionnels pour les activer électriquement
Les ions implantés désorganisent le cristal de silicium, et la plupart restent en positions interstitielles où ils n'agissent ni comme donneurs ni comme accepteurs ; juste après l'implantation, ils sont donc presque inactifs électriquement. Le recuit répare les dommages cristallins et place les impuretés en sites substitutionnels pour les activer. Pour éviter une diffusion excessive des impuretés, on utilise le RTA, qui chauffe par lampes pendant quelques secondes, ou les recuits flash ou laser d'une milliseconde ou moins.
Réponse : A. Diffusion accélérée transitoire (TED)
Les atomes de silicium interstitiels en excès créés par l'implantation s'associent au bore et favorisent sa diffusion, qui s'accélère temporairement d'un facteur de plusieurs dizaines à environ mille au début du recuit. Comme l'effet cesse lorsque le silicium interstitiel disparaît, notamment en surface, on parle de diffusion accélérée « transitoire » (TED) ; l'effet est d'autant plus important que le chauffage est long à relativement basse température. Comme elle empêche la formation de jonctions peu profondes, on la limite par un recuit spike, qui monte rapidement en température, ou par la co-implantation de carbone.
Le recuit répare les dommages cristallins et place les impuretés en sites substitutionnels pour les activer.
Quel est le principal objectif du recuit (traitement thermi…Les atomes de silicium interstitiels en excès créés par l'implantation s'associent au bore et favorisent sa diffusion, qui s'accélère temporairement d'un facteur de plusieurs dizaines à environ mille au début du recuit.
Comment appelle-t-on le phénomène par lequel, au début du r…Le recuit milliseconde ou la recroissance épitaxiale en phase solide, qui refroidissent avant l'équilibre thermique, permettent d'obtenir temporairement une activation supérieure à la solubilité limite.
Lors de l'activation des dopants par recuit, quelle proprié…Un recuit vers 600 à 1000 ℃ le resserre, l'amincit de quelques %, en chasse les impuretés et rapproche sa vitesse de gravure et ses propriétés électriques de celles d'un oxyde thermique.
Quel est le principal objectif de la « densification », rec…Avec une couche d'amorçage en alliage Cu-Mn, le recuit fait migrer le Mn vers l'interface, où il réagit avec le SiO2 de l'isolant et forme naturellement une couche barrière de MnSiOx, etc.
Quelle technique consiste à déposer un alliage de Cu conten…Plasma Croissance épitaxiale Implantation ionique Diffusion accélérée transitoire (TED) Dose Mobilité CVD MOL (middle-of-line) Résine à amplification chimique Solubilité limite