Indicateur de l'uniformité d'épaisseur du film déposé sur les flancs et le fond de marches ou de trous, par rapport aux surfaces planes. Excellente avec l'ALD.
Nom japonais: ステップカバレッジ
« Couverture de marche (step coverage) » apparaît dans 11 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Dépôt (CVD et PVD).
Domaine: Dépôt (CVD et PVD)
Réponse : A. Elle exprime l'épaisseur de film déposée sur les flancs et au fond des marches par rapport aux zones planes
La couverture de marche exprime, par exemple en pourcentage « épaisseur au fond ÷ épaisseur en surface », la quantité de film déposée sur les flancs et au fond des tranchées ou des trous par rapport aux zones planes. En général, elle est faible pour le PVD comme la pulvérisation, dont les atomes se déplacent en ligne droite (parfois moins de 10 % au fond des trous profonds), élevée pour le CVD, dont la réaction de surface contourne les obstacles, et proche de 100 % pour l'ALD. Pour les barrières et les films de grille, qui exigent un film mince et uniforme dans des trous fins, cet indicateur conditionne le choix de la méthode de dépôt.
Réponse : A. Un régime limité par la réaction de surface (température et pression relativement basses, etc.)
En régime limité par la réaction de surface, le gaz précurseur atteint suffisamment le fond des tranchées avant de réagir lentement en surface : les écarts de vitesse de dépôt selon l'endroit sont faibles et le film se dépose uniformément sur les flancs et au fond des marches. Une température relativement basse ralentit la réaction et une basse pression accélère la diffusion du gaz, ce qui rapproche de ce régime. À l'inverse, en régime limité par l'apport, le film s'épaissit aux ouvertures, faciles d'accès pour le gaz, et l'entrée se bouche facilement.
La couverture de marche exprime, par exemple en pourcentage « épaisseur au fond ÷ épaisseur en surface », la quantité de film déposée sur les flancs et au fond des tranchées ou des trous par rapport aux zones planes.
Quelle description de la couverture de marche (step coverag…Sa couverture de marche est également bonne ; il sert au dépôt du polysilicium, du nitrure de silicium et de l'oxyde TEOS.
Quelle caractéristique du CVD à basse pression (LPCVD) est …L'équipement est relativement simple et le film très pur, mais les atomes se déplaçant en ligne droite, la couverture de marche est faible et la composition des alliages dérive facilement ; les interconnexions des LSI utilisent donc surtout la pulvérisation.
Quelle description de l'évaporation sous vide est correcte ?Plus sûr à manipuler que le silane, pyrophorique, il se décompose facilement en surface avec une bonne conformité, ce qui donne des oxydes à bonne couverture de marche.
Quel composé organosilicié liquide est largement utilisé co…Grâce à sa bonne couverture de marche, il remplit des trous de contact de quelques dizaines de nm de diamètre ; son point de fusion élevé le rend en outre résistant à la dégradation par le courant.
Quel gaz est utilisé comme précurseur pour le CVD de tungst…CVD ALD Précurseur TEOS Évaporation sous vide Silane (SiH4) 3D NAND Multi-patterning LPCVD (CVD basse pression) MOL (middle-of-line)