Calculateurs pour semi-conducteurs
Calculateurs gratuits dans le navigateur pour les grandeurs que les ingénieurs puces utilisent chaque jour : puces par plaquette et rendement, résolution lithographique, marge de timing, etc.
Calculateur de dies par wafer et de rendementPuces par plaquette, rendement (Poisson, Murphy, binomiale négative) et coût par puce bonne, avec carte de plaquetteCalculateur de résolution et de profondeur de foyer en lithographieRésolution (demi-pas), profondeur de foyer et découpage du pas à partir de λ, NA et k1Calculateur de timing setup et holdMarges (slack) de setup et de hold et fréquence d'horloge maximale d'un chemin bascule à basculeCaractéristiques I-V du MOSFET (ID–VDS)Modifiez Vth, W/L et λ et voyez les courbes ID–VDS et le point de fonctionnement : régime, ID, gm et roCréer une série de questionsChoisissez des thèmes et un nombre de questions pour obtenir un lien de quiz à partager en cours ou en formationCalculateur de température de jonction et de résistance thermiqueTempérature de jonction, marge jusqu’à Tj(max) et puissance maximale d’après la puissance dissipée et la résistance thermiqueCalculateur de bande passante mémoireBande passante crête et effective de DDR, LPDDR, GDDR et HBM d’après le débit de transfert et la largeur de busSNR et nombre effectif de bits (ENOB) d’un ADCSNR et nombre effectif de bits d’un ADC d’après la résolution, la gigue d’horloge et le suréchantillonnageLoi d’Amdahl et accélération parallèleFacteur d’accélération et efficacité parallèle d’après la fraction parallèle et le nombre de processeurs, selon les lois d’Amdahl et de GustafsonDécoupage d’adresse d’un cache et temps d’accès mémoire moyenBits d’étiquette, d’index et d’offset et temps d’accès mémoire moyen d’après la taille du cache, la taille de ligne et l’associativitéConsommation d’un circuit CMOS (dynamique et statique)Consommation dynamique et statique d’après le facteur d’activité, la capacité, la tension, la fréquence et la fuite, et puissance après DVFSPotentiel de diffusion et largeur de la zone de déplétion d’une jonction PNPotentiel de diffusion, largeur de la zone de déplétion, champ maximal et capacité d’une jonction PN d’après le dopage et la polarisation inverseÉpaisseur d’oxyde thermique (modèle de Deal-Grove)Épaisseur d’oxyde de silicium et silicium consommé d’après la température, la durée, l’atmosphère sèche ou humide et l’orientation, avec le modèle de Deal-Grove