Qu'est-ce que Rugosité de bord de ligne (LER) ?

Irrégularités nanométriques sur les flancs des motifs fins de résine. Elle entraîne une variation de largeur de ligne (LWR) et donc une dispersion des caractéristiques des transistors.

Nom japonais: ラインエッジラフネス(LER)

« Rugosité de bord de ligne (LER) » apparaît dans 25 questions d'entraînement réparties sur 18 thèmes, dont Plaquettes de silicium, Matériaux de procédé (gaz et produits chimiques), Mémoires émergentes.

Domaine: Lithographie

S'entraîner : questions sur Rugosité de bord de ligne (LER)

Dans un FinFET sur substrat massif, quel est l'objectif de la couche fortement dopée placée au pied de l'ailette (zone difficile à contrôler par la grille) ?

  1. ALimiter le courant de fuite par perçage (punch-through) passant sous l'ailette
  2. BRéduire la résistance de grille
  3. CRendre l'ailette plus haute
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Réponse : A. Limiter le courant de fuite par perçage (punch-through) passant sous l'ailette

Dans un FinFET massif, la partie basse de l'ailette n'étant pas entourée par la grille, le courant fuit facilement entre source et drain. Une couche fortement dopée de type opposé au canal (stoppeur de perçage) placée près du pied de l'ailette limite la fuite par ce chemin. Comme on ne veut pas doper le canal, contrôler une implantation abrupte limitée à cette faible profondeur est délicat. Un substrat SOI permettrait une isolation par l'oxyde, mais les plaquettes sont coûteuses.

Dans les circuits optiques utilisant des résonateurs en anneau, pourquoi place-t-on souvent un élément chauffant près de l'anneau pour en contrôler la température ?

  1. AParce qu'en maintenant l'anneau à haute température, même le silicium à gap indirect émet efficacement aux longueurs d'onde des télécommunications
  2. BParce qu'en élevant la température, l'indice du silicium diminue fortement et les pertes de propagation disparaissent presque
  3. CParce que la longueur d'onde de résonance se décale facilement avec la température et les variations de fabrication, et qu'il faut l'ajuster à la longueur d'onde utilisée
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Réponse : C. Parce que la longueur d'onde de résonance se décale facilement avec la température et les variations de fabrication, et qu'il faut l'ajuster à la longueur d'onde utilisée

La variation de l'indice du silicium avec la température (coefficient thermo-optique, environ 1,8×10⁻⁴ /K) est importante : la longueur d'onde de résonance d'un résonateur en anneau en bande C se décale d'environ 0,07 à 0,08 nm par °C vers les grandes longueurs d'onde. La largeur de résonance est souvent étroite, de l'ordre de 0,1 à 0,3 nm, si bien qu'une variation de quelques °C suffit à s'écarter de la longueur d'onde utilisée. Une différence de quelques nm seulement sur la largeur ou l'épaisseur du guide peut aussi décaler la résonance de quelques nm. On élève donc la température avec l'élément chauffant pour aligner la résonance sur la longueur d'onde du laser, et l'on régule en surveillant l'état du dispositif. L'augmentation de la puissance consommée par les éléments chauffants est l'un des défis de l'utilisation des anneaux.

« Rugosité de bord de ligne (LER) » dans les explications

Questions mentionnant « Rugosité de bord de ligne (LER) » (25)

  1. Dans un FinFET sur substrat massif, quel est l'objectif de la couche fortement dopée placée au pied de l'ailette (zone difficile à contrôler par la grille) ?
  2. Dans les circuits optiques utilisant des résonateurs en anneau, pourquoi place-t-on souvent un élément chauffant près de l'anneau pour en contrôler la température ?
  3. Quelle méthode applique un champ magnétique au creuset de la méthode CZ pour freiner la convection du bain et contrôler notamment la concentration d'oxygène ?
  4. Quel est l'indicateur typique utilisé pour contrôler la pureté de l'eau ultrapure en fabrication de semi-conducteurs ?
  5. Quelle méthode évalue si la répétabilité et la reproductibilité d’un instrument de mesure sont suffisamment faibles par rapport à la dispersion du procédé à contrôler ?
  6. Quelle valeur est la plus proche de la densité de porteurs intrinsèques du silicium à température ambiante ?
  7. Comment appelle-t-on l'erreur produite par la « quantification » dans la conversion analogique-numérique ?
  8. Comment stocke-t-on plusieurs bits dans une seule cellule (multiniveau) d'une mémoire à changement de phase (PCM) ?
  9. Quelle est la différence entre les modes de fonctionnement « bipolaire » et « unipolaire » de la ReRAM ?
  10. Comment appelle-t-on les wafers passés dans le procédé indépendamment des produits pour vérifier l'état des équipements, mesurer les épaisseurs de couches, etc. ?
  11. Quelle valeur est la plus proche de la température de croissance usuelle de l'épitaxie du SiC (CVD) ?
  12. Pour l’oxydation thermique du silicium, quelle comparaison entre oxydation sèche (O2) et oxydation humide (H2O) est correcte ?
  13. Si l’on élève la température d’oxydation thermique, comment évolue l’épaisseur d’oxyde obtenue en un temps donné ?
  14. Quelle est la gamme de doses la plus proche de celle utilisée en implantation ionique pour la fabrication des LSI ?
  15. Quelle est la principale raison du refroidissement du wafer pendant une implantation ionique à fort courant ?

Termes associés

CVD Silane (SiH4) Oxydation thermique Oxydation sèche Oxydation humide Implantation ionique Tension de seuil Mandrin électrostatique (e-chuck) FinFET Perçage (punch-through)

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