Partie reliant la source, le drain ou la grille du transistor au premier niveau d'interconnexion. Elle est formée en remplissant de tungstène, etc. des trous de contact ouverts dans l'isolant.
Nom japonais: コンタクト
« Contact » apparaît dans 60 questions d'entraînement réparties sur 25 thèmes, dont Test et inspection, Métrologie et analyse, Environnement, santé et sécurité.
Domaine: Procédés d'interconnexion
Réponse : A. Doper fortement la surface du semi-conducteur au contact, afin que les porteurs traversent facilement la barrière par effet tunnel
Une barrière Schottky se forme entre métal et semi-conducteur, mais un dopage élevé du côté semi-conducteur (environ 10¹⁹ cm⁻³ ou plus dans le silicium) amincit la barrière à quelques nm, que les porteurs traversent par effet tunnel. On obtient ainsi un contact ohmique de faible résistance quel que soit le sens du courant. Dans les transistors avancés, la résistance de contact représente une part importante de la résistance totale ; on la réduit par formation de siliciures et par des dopages extrêmement élevés.
Réponse : A. Augmenter le dopage du semi-conducteur en contact pour amincir la barrière et faciliter le courant tunnel
Une barrière Schottky se forme à l'interface métal-semi-conducteur. Un dopage du semi-conducteur supérieur à 10²⁰ cm⁻³ amincit la barrière à quelques nm ou moins, et les porteurs la traversent plus facilement par effet tunnel, ce qui réduit la résistance de contact. On recourt aussi à des interfaces en siliciure de titane ou autre, au choix de matériaux à faible barrière et à l'élargissement de la surface de contact ; les nœuds avancés exigent des résistivités de contact de l'ordre de 10⁻⁹ Ω·cm².
Dans les transistors avancés, la résistance de contact représente une part importante de la résistance totale ; on la réduit par formation de siliciures et par des dopages extrêmement élevés.
Quelle méthode utilise-t-on couramment pour rendre ohmique …Un dopage du semi-conducteur supérieur à 10²⁰ cm⁻³ amincit la barrière à quelques nm ou moins, et les porteurs la traversent plus facilement par effet tunnel, ce qui réduit la résistance de contact.
Quelle est la méthode de base pour réduire la résistance de…Lorsque les faces supérieure et latérales de la grille sont recouvertes d'un nitrure ou analogue, une gravure de contact décalée vers la grille s'arrête sur cet isolant, le nitrure étant moins gravé que l'oxyde, et n'atteint pas la grille.
Quelle technique recouvre la grille d'un isolant afin qu'un…Le commutateur RF MEMS ouvre et ferme un contact métallique en déplaçant une microélectrode mobile par force électrostatique ; sa résistance à l’état passant est faible, sa capacité à l’état bloqué est de quelques fF seulement, ses pertes d’insertion sont faibles, d’environ 0.1 à 0.5 dB, et il ne présente pratiquement pas de distorsion due à la non-linéarité comme les commutateurs à semi-conducteur.
Quel est l’avantage d’un commutateur RF MEMS, qui commute d…On dépose donc d'abord du Ti pour réduire la résistance de contact avec le silicium, puis du TiN qui assure l'adhérence et bloque le fluor, avant de remplir de tungstène.
Quelle est la principale raison de déposer un film mince co…RIE (gravure ionique réactive) MEMS CVD Stiction (adhérence) Méthode des quatre pointes Précurseur Bande interdite (bandgap) GaAs (arséniure de gallium) Mobilité Siliciure