Abréviation de tétraéthoxysilane. Composé organosilicié liquide largement utilisé comme précurseur pour le dépôt CVD d'oxyde de silicium. Il donne des oxydes à bonne couverture de marche.
Nom japonais: TEOS
« TEOS » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 2 thèmes, dont Dépôt (CVD et PVD), Matériaux de procédé (gaz et produits chimiques).
Domaine: Dépôt (CVD et PVD)
Réponse : A. Faire barboter un gaz porteur dans le liquide pour entraîner la vapeur (bullage), ou vaporiser le liquide dans un vaporiseur
Les précurseurs liquides sont envoyés au réacteur sous forme gazeuse, soit par bullage, en insufflant un gaz porteur dans un récipient thermostaté pour entraîner la vapeur, soit en mesurant le débit de liquide et en le vaporisant d'un coup dans un vaporiseur. Avec le bullage, le débit fluctue facilement avec la température du liquide ; le vaporiseur permet un contrôle plus précis. Le TEOS est un liquide dont le point d'ébullition vaut environ 168 ℃, et les canalisations sont chauffées pour éviter qu'il ne se recondense. Versé tel quel à l'état liquide, il ne permettrait pas un dépôt uniforme.
Le TEOS est un liquide dont le point d'ébullition vaut environ 168 ℃, et les canalisations sont chauffées pour éviter qu'il ne se recondense.
Quelle méthode est correcte pour fournir sous forme gazeuse…Sa couverture de marche est également bonne ; il sert au dépôt du polysilicium, du nitrure de silicium et de l'oxyde TEOS.
Quelle caractéristique du CVD à basse pression (LPCVD) est …Le TEOS (Si(OC2H5)4) est un composé organosilicié liquide à température ambiante, vaporisé pour servir de précurseur CVD.
Quel composé organosilicié liquide est largement utilisé co…CVD Précurseur Couverture de marche (step coverage) Débit (throughput) LPCVD (CVD basse pression) MOL (middle-of-line) Silane (SiH4) PECVD (CVD assistée par plasma) ALD Dépôt électrolytique (électroplacage)