En croissance épitaxiale par CVD, la vitesse de croissance dépend fortement de la température dans le domaine des températures relativement basses. Pourquoi ?

Réponse : B. Parce que la vitesse de la réaction chimique de surface détermine la vitesse de croissance (régime limité par la réaction de surface)

À basse température, la réaction chimique de surface est lente et sa vitesse détermine la vitesse de croissance (régime limité par la réaction de surface). La vitesse de réaction suivant la loi d'Arrhenius dépend exponentiellement de la température, si bien que la vitesse de croissance en dépend fortement et que l'uniformité de température sur la plaquette se traduit directement en uniformité d'épaisseur. À haute température, la réaction devient suffisamment rapide et c'est la vitesse d'arrivée du gaz en surface qui détermine la croissance (régime limité par le transport ou la diffusion) ; l'uniformité de l'écoulement gazeux devient alors importante.