GaN HEMT中電流流通的通道，下列何者正確？

正確答案：C. AlGaN/GaN界面因極化而產生的二維電子氣（2DEG）

在GaN HEMT中，AlGaN與GaN的界面會因自發極化與壓電極化的差異，產生高達約10¹³ cm⁻²的高密度二維電子氣（2DEG）。由於不需摻雜雜質就能產生電子，散射少，遷移率高達約2000 cm²/V·s，可同時實現低導通電阻與高速切換。因為2DEG在閘極電壓0 V時也存在，所以基本結構為常開型。