什麼是MOCVD(有機金屬化學氣相沉積)
使用有機金屬化合物與氨等原料氣體來成長晶體的方法。廣泛用於GaN、GaAs等化合物半導體的成長。
日文名稱: MOCVD(有機金属気相成長)
「MOCVD(有機金屬化學氣相沉積)」出現在3領域的7道練習題中（磊晶成長, 化合物半導體, 製程材料（氣體與藥液）等）。
這個名詞所屬的領域: 磊晶成長
練習MOCVD(有機金屬化學氣相沉積)的題目
下列何者是以MOCVD法添加鎂的GaN在剛成長完時呈高電阻而不成為p型的主要理由，以及其對策的正確組合？
- A因為Mg蒸發而消失，所以多添加Mg
- B因為氫與Mg鍵結使受體不活化，所以在氮氣中熱處理或以電子束照射使其活化
- C因為GaN是絕緣體，所以不可能p型化
MOCVD（有機金屬氣相沉積法）主要用於下列何種用途？
- A矽的熱氧化
- BCu配線的電鍍
- CGaN等化合物半導體的磊晶成長
解析中的「MOCVD(有機金屬化學氣相沉積)」
源自MOCVD原料氨等的氫與Mg鍵結而形成Mg-H複合體，使其無法發揮受體的作用。
下列何者是以MOCVD法添加鎂的GaN在剛成長完時呈高電阻而不成為p型的主要理由，以及其對策的正確組合？MOCVD是使三甲基鎵等有機金屬與氨等氫化物氣體在加熱的基板上反應，以成長化合物半導體晶體的方法。
MOCVD（有機金屬氣相沉積法）主要用於下列何種用途？用於GaN或GaAs的MOCVD。
關於作為MOCVD原料的三甲基鎵（TMGa）等有機金屬化合物，在操作上的注意事項，下列何者正確？成長速率慢，每小時約1 µm，量產性不如MOCVD，但用於研究開發以及高性能HEMT、量子元件。
下列關於MBE（分子束磊晶）的特徵，何者正確？薄層與陡峭界面的控制則是MOCVD與MBE比較擅長。
從熔融金屬的溶液等使晶體在基板上析出而成長的方法為下列何者？
出現「MOCVD(有機金屬化學氣相沉積)」的題目（7題）
相關名詞
GaN(氮化鎵) GaAs(砷化鎵) MBE(分子束磊晶) 受體 退火 HEMT(高電子遷移率電晶體) HVPE(氫化物氣相磊晶) 4H-SiC 自摻雜 異質磊晶