什麼是HEMT(高電子遷移率電晶體)

以異質接面界面所形成的高遷移率二維電子氣作為通道的電晶體。用於高頻、高輸出的應用。

日文名稱: HEMT(高電子移動度トランジスタ)

「HEMT(高電子遷移率電晶體)」出現在5領域的15道練習題中（化合物半導體, 功率半導體, 磊晶成長等）。

這個名詞所屬的領域: 化合物半導體

練習HEMT(高電子遷移率電晶體)的題目

GaN HEMT中電流流通的通道，下列何者正確？

  1. A形成於閘極下方的p型反轉層
  2. B高濃度摻雜雜質的厚n型層
  3. CAlGaN/GaN界面因極化而產生的二維電子氣（2DEG）
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正確答案：C. AlGaN/GaN界面因極化而產生的二維電子氣（2DEG）

在GaN HEMT中，AlGaN與GaN的界面會因自發極化與壓電極化的差異，產生高達約10¹³ cm⁻²的高密度二維電子氣（2DEG）。由於不需摻雜雜質就能產生電子，散射少，遷移率高達約2000 cm²/V·s，可同時實現低導通電阻與高速切換。因為2DEG在閘極電壓0 V時也存在，所以基本結構為常開型。

下列何者是HEMT（高電子遷移率電晶體）的代表性用途？

  1. A衛星廣播接收器或行動電話基地台等的高頻、低雜訊放大器
  2. BDRAM的記憶單元
  3. C利用太陽光的熱發電
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正確答案：A. 衛星廣播接收器或行動電話基地台等的高頻、低雜訊放大器

HEMT以異質接面界面形成的二維電子氣作為通道，並將供應電子的雜質與電子行進的層分開（調變摻雜），因此雜質散射少，能在高頻進行低雜訊放大。1980年由富士通的三村高志先生發明。GaAs系HEMT用於衛星廣播接收器與電波望遠鏡，GaN系HEMT則用於行動電話基地台與雷達的功率放大器。

解析中的「HEMT(高電子遷移率電晶體)」

出現「HEMT(高電子遷移率電晶體)」的題目（15題）

  1. GaN HEMT中電流流通的通道，下列何者正確？
  2. 下列何者是HEMT（高電子遷移率電晶體）的代表性用途？
  3. 下列何者是GaN HEMT使用SiC作為基板的主要理由之一？
  4. 為了讓常開型（normally-on）的GaN HEMT能以常閉型（normally-off）的方式安全使用，而與低耐壓的矽MOSFET串聯組合的架構是下列何者？
  5. 在GaN HEMT用的磊晶結構中，於通道下方的GaN緩衝層添加碳或鐵，其主要目的為下列何者？
  6. 關於空乏型MOSFET的特徵，下列何者正確？
  7. 功率元件被要求在閘極電壓為0 V時不導通電流的「常閉」特性，其主要理由為下列何者？
  8. 下列何者是InP（磷化銦）系化合物半導體主要的用途？
  9. 下列何者是AlGaAs這類混晶半導體的優點？
  10. 下列何者是GaN適合用於高頻、高功率電晶體的正確理由？
  11. 下列何者是目前普及的GaN功率元件大多採用的結構？
  12. 在InP基板上使調整過組成的InGaAs晶格匹配地成長，下列何者是其正確的優點？
  13. 下列何者是長久以來作為GaAs高頻電晶體的MESFET閘極結構的正確描述？
  14. 下列關於MBE（分子束磊晶）的特徵，何者正確？
  15. GaN的乾式蝕刻一般使用的氣體是下列何者？

相關名詞

GaN(氮化鎵) 二維電子氣(2DEG) GaAs(砷化鎵) 常閉型(Normally-off) 遷移率 中斷 InP(磷化銦) 能隙 HBT(異質接面雙載子電晶體) 導通電阻

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